Campagne de collecte 15 septembre 2024 – 1 octobre 2024
C'est quoi, la collecte de fonds?
recherche de livres
livres
Campagne de collecte:
63.6% pourcents atteints
S'identifier
S'identifier
les utilisateurs autorisés sont disponibles :
recommandations personnelles
Telegram bot
historique de téléchargement
envoyer par courrier électronique ou Kindle
gestion des listes de livres
sauvegarder dans mes Favoris
Personnel
Requêtes de livres
Recherche
Z-Recommend
Les sélections de livres
Les plus populaires
Catégories
La participation
Faire un don
Téléchargements
Litera Library
Faire un don de livres papier
Ajouter des livres papier
Search paper books
Mon LITERA Point
La recherche des mots clé
Main
La recherche des mots clé
search
1
Leakage Current and Defect Characterization of Short Channel MOSFETs
Logos Verlag Berlin
Guntrade Roll
gate
leakage
current
dielectric
drain
silicon
pfet
figure
voltage
pfets
sde
atm
cm2
devices
implant
oxide
measured
vth
gidl
spacer
tunneling
density
nfet
defects
halo
implantation
measurement
bulk
transistor
thick
dose
simulation
transistors
germanium
measurements
simulated
traps
junction
currents
effect
increase
sample
edge
subthreshold
shown
device
overlap
diode
doping
temperature
Année:
2012
Langue:
english
Fichier:
PDF, 14.70 MB
Vos balises:
0
/
0
english, 2012
2
Моделирование технологических процессов и интегральных микросхем: лабораторный практикум
Воронежский гос. технический ун-т
Е. Ю. Плотникова
,
А. В. Арсентьев
,
А. А. Винокуров
,
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
,
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет"
spac
thick
solve
мкм
типа
рис
photoresist
electrodes
etch
структуры
транзистора
aluminum
файл
расчета
моп
моделирования
vfinal
vstep
oxide
outfile
задаем
export
оси
структура
infile
tonyplot
создаем
технологии
строка
структуру
implant
вах
сетки
dose
моделирование
процесса
gate
simflags
victorydevice
подложки
экран
параметры
модель
толщиной
характеристики
si3n4
vgate
области
сохраняем
resist
Année:
2020
Langue:
russian
Fichier:
PDF, 2.30 MB
Vos balises:
0
/
5.0
russian, 2020
3
Расчет и моделирование усилителя класса Е в интегральном исполнении
Макаров Д.Г.
,
Крыжановский В.В.
напряжение
класса
транзистора
усилителя
кпд
питания
рис
сопротивление
мощности
мощность
выходная
потерь
схема
схеме
amplifier
кмоп
напряжения
выходной
ггц
моделирование
открытом
частоту
vth
каскада
максимальное
состоянии
circuits
cmos
solid
выходного
емкости
емкость
индуктивности
применяется
соответственно
стоке
технологии
vdrain
данной
интегральном
исполнении
крыжановский
макаров
мкм
расчет
сопротивления
тока
транзисторов
ghz
pout
Langue:
russian
Fichier:
PDF, 326 KB
Vos balises:
0
/
0
russian
1
Suivez
ce lien
ou recherchez le bot "@BotFather" sur Telegram
2
Envoyer la commande /newbot
3
Entrez un nom pour votre bot
4
Spécifiez le nom d'utilisateur pour le bot
5
Copier le dernier message de BotFather et le coller ici
×
×